中国企业自主研发的内存芯片亮相美国

　　出海记｜中国企业自主研发的内存芯片亮相美国

　　参考消息网8月9日报道韩媒称，中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片，将在美国硅谷首次公开。中美贸易战之下，中国半导体企业宣布进军市场。

　　据韩国《朝鲜日报》网站8月7日报道，据悉，清华紫光的子公司长江存储(YMTC)从8月7日(当地时间)出席美国《美国的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)》，公开32层、64层3D NAND。YMTC的CEO杨士宁7日作主旨演讲，介绍新产品。

　　中国产NAND将提高产量

　　报道称，YMTC此次公开的NAND当中，32层产品将于下半年进入试产阶段。目前三星和SK海力士生产的是96层、72层产品。半导体业界认为，企业技术水平上，韩国比中国领先3年。

　　报道称，YMTC透露，新产品使用的是3D NAND架构创新技术Xtacking，有效提高了数据处理速度。

　　报道称，YMTC计划先在位于武汉的工厂进行生产，后将在南京建厂，从明年开始提高产量。中国的NAND进入市场已成为不可阻挡的趋势，市场调查机构预测认为，NAND价格到明年将持续下降。

　　报道称，中国政府为2025年内存半导体自给率提高至70%，已投入资金达1000亿美元。

　　报道称，业界人士表示：“中国企业先攻占电脑等低价产品市场，日后将进入服务器等高价产品市场。”