首页| 滚动| 国内| 国际| 军事| 社会| 财经| 产经| 房产| 金融| 证券| 汽车| I T| 能源| 港澳| 台湾| 华人| 侨网| 经纬
English| 图片| 视频| 直播| 娱乐| 体育| 文化| 健康| 生活| 葡萄酒| 微视界| 演出| 专题| 理论| 新媒体| 供稿

日本将开设共同研究室 加速研发新一代半导体

2016年11月23日 09:24 来源:中国新闻网 参与互动 

  中新网11月23日电 据日本媒体报道,本月22日,日本名古屋大学和“物质与材料研究机构”宣布,为研发用于高效节能电子设备的新一代半导体,将分别在各自的机构开设由2014年获诺贝尔物理学奖的该大学教授天野浩以及该机构理事小出康夫共同运营的研究室。

  报道称,共同研究室预计将于2017年3月底前后设置、最初由总计10名左右的研究人员参加。该研究室力争将“氮化镓”这种物质运用在控制电流的新一代半导体功率器件等中。

  据了解,“氮化镓”是天野研发的获诺贝尔奖的蓝色发光二级管(LED)的材料。该研究室力争把名古屋大学研制氮化镓结晶的技术与该机构调查物质性质的技术相结合,加快研发进程。

  天野是小出在名古屋大学念书时低一届的学弟。两人在名城大学终身教授赤崎勇(2014年分享诺贝尔物理学奖)门下一同进行过研究。

【编辑:吴倩】
本网站所刊载信息,不代表中新社和中新网观点。 刊用本网站稿件,务经书面授权。
未经授权禁止转载、摘编、复制及建立镜像,违者将依法追究法律责任。
[网上传播视听节目许可证(0106168)] [京ICP证040655号] [京公网安备:110102003042-1] [京ICP备05004340号-1] 总机:86-10-87826688

Copyright ©1999-2024 chinanews.com. All Rights Reserved