国际专家委员会：武汉脉冲强磁场跻身世界最好之列

　　中新社武汉10月8日电 (刘坚)国际专家委员会8日对华中科技大学国家脉冲强磁场科学中心(筹)作出总体国际评估结论：已经跻身于世界上最好的脉冲场之列，在电源设计和磁体技术方面已经位列世界顶级；得益于技术创新，工程上取得的成就已经超越国际同类水平。

　　国内外30余位强磁场领域的权威专家当天齐聚武汉。与会专家对华中科技大学脉冲强磁场实验装置进行实地参观，并观看该校研究人员在现场进行的电输运、磁化、磁光、ESR、电容器驱动平顶磁场、高稳定度平顶脉冲磁场等6项实验演示。

　　专家认为，其实现了大于90特斯拉的脉冲磁场，位列世界第三；建造了极为多样化的电源系统；建立了很强的自主研发工程队伍以及保持了非常平衡的磁体和电源关联体系。武汉的脉冲强磁场设施实现了快速制冷磁体工艺，高性噪比测量技术以及先进的低温系统。

　　2008年，作为中国国家重大科技基础设施项目，脉冲强磁场实验装置落户华中科技大学。2008年4月，实验装置开工建设。5年来，已基本完成项目建设任务，装置累计完成充放电超过36000次，累计完成科学实验100余项。今年8月，该中心成功实现90.6特斯拉的峰值磁场，刷新中国脉冲磁场的最高强度记录，位列世界第三。

　　磁场能改变物质的内部能量，强度越高对物质系统的电子能态改变就越大，脉冲强磁场技术可产生高强度磁场。(完)