首页| 滚动| 国内| 国际| 军事| 社会| 财经| 产经| 房产| 金融| 证券| 汽车| I T| 能源| 港澳| 台湾| 华人| 侨网| 经纬
English| 图片| 视频| 直播| 娱乐| 体育| 文化| 健康| 生活| 葡萄酒| 微视界| 演出| 专题| 理论| 新媒体| 供稿

俄副防长:俄罗斯微电子技术接近世界领导级水平

2013年07月03日 11:33 来源:中国新闻网 参与互动(0)

  中新网7月3日电 据中国国防科技信息网报道,俄罗斯国防部副部长尤里·鲍里索夫在接受莫斯科回声电台采访时表示,由于采取了相应措施,俄罗斯正逐渐摆脱电子元器件生产领域的落后状态。

  鲍里索夫认为,“8年前俄罗斯电子元器件生产形势严峻(与世界水平的差距在10-15年或者说2-3代),但我们及时抓住了发展机遇。”

  他说,由于俄罗斯采取了非常有效的措施,制定了电子元器件发展战略,形势开始改变。在超高频技术领域俄罗斯与世界领先的制造商处于同等水平,虽说在真空技术领域曾有一定障碍,但可利用微电子领域的努力缩小这些差距。

  鲍里索夫表示,在微电子领域俄罗斯的技术水平已接近于世界领导级水平,发展已驶入快车道。但在批量生产方面仍然严重落后,这一点是必须承认的。 (朱琳 鱼羊)

【编辑:高辰】

>军事新闻精选:

 
本网站所刊载信息,不代表中新社和中新网观点。 刊用本网站稿件,务经书面授权。
未经授权禁止转载、摘编、复制及建立镜像,违者将依法追究法律责任。
[网上传播视听节目许可证(0106168)] [京ICP证040655号] [京公网安备:110102003042-1] [京ICP备05004340号-1] 总机:86-10-87826688

Copyright ©1999-2024 chinanews.com. All Rights Reserved